考古（f）OER性能与最近报告的结果进行比较。

图二、脑洞电极材料的合成与表征（a-d）裸露的Sb2Se3纳米棒、Sb2Se3@NC、Sb2Se3@rGO和Sb2Se3@NC@rGO的TEM图像。二维（2D）材料限域的方法有助于提高电子导电性和维持电极的整体性，底洞但是阻止不了被限制的转化/合金负极材料的粉化。

考古2018年全球材料和化学双学科高被引科学家(WebofScience/ClarivateAnalytics)。脑洞并且利用原位和非原位表征揭示了大体积变化Sb2Se3负极的两步转化反应和多步合金化反应的可逆K储存机理。底洞英国皇家化学会会士(FRSC)和国际电化学学会会士(ISEfellow)。

考古主持完成了二十多项澳大利亚基金委和工业界的项目。（c-d）Sb2Se3@NC@rGO电极在充电至1.5V和3.0V的非原位TEM、脑洞HRTEM和SAED图像。

（d）通过结合导电封装和2D材料限域作用以缓解体积膨胀，底洞使得转化/合金负极材料在循环过程中保持良好的结构稳定性。

考古非原位SEM证明导电NC封装和二维rGO的结合能有效缓解Sb2Se3在储钾过程中的体积膨胀。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，脑洞投稿邮箱[email protected]。

【小结】综上所述，底洞团队通过电化学去合金化方法原位重构了多金属位点的羟基氧化物，并通过operandoATRFT-IR技术在OER过程中探测到了O-O键（1078cm-1）。众所周知的是，考古这些电催化剂将在高电势下经历表面重构过程，特别是过渡金属基合金。

通过原位电化学去合金化重建了晶体结构，脑洞获得了具有较高ECSA和催化活性的多金属位点羟基氧化物结构，大大促进了O-O键的形成速率。结果表明，底洞电化学去合金电化催化剂可以通过直接析氧机理（DOEM）来调控反应路线，促进O-O键的形成。